Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Живешь только раз.
© Иоганн Вольфганг фон Гете
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 11-08-2013, 10:33, просмотров: 666
Внимание! Данный материал, а именно «Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле

Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от используемых технологий Flash-памяти. Теперь, благодаря стараниям компании Samsung, этот ряд дополнился еще двумя аббревиатурами, V-NAND и CTF, которые имеют непосредственное отношение к новым микросхемам "3D Vertical NAND" памяти, массовое производство которых было начато совсем недавно на производственных мощностях компании. Следует заметить, что, создавая новую V-NAND Flash-память, специалисты компании Samsung пытались не только увеличить объемы и другие показатели новых микросхем, их основной целью являлся аккуратный обход большинства проблем и ограничений, с которыми сталкиваются все разработчики Flash-памяти в последнее время.

Чипы новых микросхем V-NAND изготавливаются по технологии 10 нм, а плотность хранения информации начинается со значения 128 Гб на чип. Чип имеет структуру, в которой друг над другом могут находиться до 24 отдельных слоев, содержащих матрицы из ячеек Flash-памяти. Такая инновационная структура позволила компании Samsung увеличивать показатель плотности записи и хранения информации без необходимости увеличивать площадь кристалла чипа в целом.

Второй термин, CTF, расшифровывается как "Charge Trap Flash", и это является главной особенностью нового типа Flash-памяти. Обычная NAND Flash-память хранит информацию в виде электрического заряда плавающего затвора транзистора ячейки памяти. Присутствие заряда на затворе и его отсутствие соответствуют логическим 0 или 1, записанным в данную ячейку памяти. Однако, новая V-NAND память компании Samsung обходится без использования плавающего затвора. В технологии CTF электрический заряд, определяющий записанную в ячейке информацию, помещается в специальную область удержания заряда (holding chamber), которая изготовлена из непроводящего нитрида кремния (SiN), что позволяет избежать влияния на ячейку зарядов расположенных рядом ячеек и обойти еще несколько ограничений.

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмещающей терабит данных на одном кристалле

Эти ограничения имеют отношение к долговечности, к надежности ячеек памяти с плавающими затворами и к количеству энергии, требующейся для стирания и перезаписи информации в ячейке. Не вдаваясь в глубины физического процесса можно сказать, что каждый раз, когда требуется обновить информацию в ячейке памяти, в области затвора транзистора всегда остаются лишние электроны, пойманные в ловушку и остающиеся там навсегда. Через какое-то количество циклов стирания-записи количество этих электронов увеличивается настолько, что информация, записанная в ячейке, уже не может быть достоверно прочитана. И эта проблема становится все острее и острее по мере того, как исследователи стараются уменьшить размеры одной ячейки NAND памяти.

Переход от транзисторов с плавающим затвором к технологии Charge Trap Flash позволяет избежать практически всех вышеизложенных проблем. Благодаря этому чипы V-NAND памяти имеют в два раза больший срок службы, в десять раз больший ресурс по количеству циклов перезаписи и в два раза большую скорость работы, нежели чипы обычной NAND памяти.

Специалисты компании Samsung прогнозируют, что использование новых чипов V-NAND памяти в SSD-дисках позволит снизить стоимость 1 гигабайта до уровня 2.5 долларов и позволит SSD-дискам перешагнут планку объема в 1 терабайт. К сожалению, пока еще неизвестно, когда станут доступны SSD-диски потребительского уровня, заполненные микросхемами V-NAND памяти. Но первые SSD-диски большого объема с микросхемами V-NAND памяти и со специализированным контроллером производства Samsung, предназначенные для дорогих вычислительных систем и датацентров, появятся уже в ближайшее время.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ... Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ...
Японская исследовательская группа, возглавляемая профессором Кеном Тэкеучи (Ken Takeuchi) из университета Чуо (Chuo University), представила на...
Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ... Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ...
Будущим процессорам предстоит работа по обработке огромным массивов информации, количество которой растет буквально с каждым днем. Но...
Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы
Поскольку элементы полупроводниковых чипов становятся все меньше и меньше, мы неуклонно приближаемся к моменту, когда фундаментальные законы...
Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ... Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ...
Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания...
Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов
Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали...
Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ... Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ...
Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов...
Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа...
Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ... Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...
Система-на-чипе Atom CE4100 заставит обычные телевизоры показывать IPTV Система-на-чипе Atom CE4100 заставит обычные телевизоры показывать IPTV
Эрик Ким, генеральный директор Intel Digital Home Group, в рамках IDF представил 45-нм "систему-на-чипе" Atom CE4100, созданную с целью...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Гастробайтеры по русски ?
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
E-mail:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
24.07.2017
Доска обьявлений (Предложение)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 8
 Гостей: 3
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: Yandex Bot, Yandex Bot, crawl Bot, Yandex Bot, Yandex Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, беспилотник, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх