Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Если у тебя горб, брось на него блёсток и иди танцевать.
© Клубная Мания
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей раздела
 

Умная материя создаст из каждой одежды фитнес-трекер
   

Напечатанное на 3D-принтере сердце бьется, как настояще ...
   

Медики назвали напиток, который помогает в борьбе с кар ...
   

Ученые выяснили, что жидкая вода может существовать в д ...
   

Компьютеры научились читать "язык" тела человека
   

Жизнь на Земле зародилась на суше
   

"Разноцветные" фотоны - революция в области квантовых ...
   

Ученые составили математическую модель, описывающую про ...
   

В Германии планируется создание самой большой и мощной ...
   

Разработана видеосистема распознающая оружие сразу, как ...
 
 
Топ новостей
 

Археологов поразила кровать Тутанхамона
   

Время до исчезновения человечества, ускоряется
   

Компания SpaceX представляет видеоролик, демонстрирующи ...
   

На авиасалоне в Жуковском представлен российский летающ ...
   

Умная материя создаст из каждой одежды фитнес-трекер
   

В полиции Великобритании появилось подразделение беспил ...
   

Напечатанное на 3D-принтере сердце бьется, как настояще ...
   

Медики назвали напиток, который помогает в борьбе с кар ...
   

Ученые выяснили, что жидкая вода может существовать в д ...
   

В Audi смоделировали, как человек будет проводить время ...
   

Графеновый "робот-паук", который не нуждается в источ ...
   

Смарт-перчатка преобразовывает язык жестов в текст
   

В Индии запустили поезд, почти полностью работающий на ...
   

Обновленный Bluetooth создаст из домашней электроники е ...
   

Илону Маску разрешили пробурить тоннель от Вашингтона д ...
   

Компьютеры научились читать "язык" тела человека
   

Жизнь на Земле зародилась на суше
   

Что такое Лента Мебиуса
   

Мнения о развитии ИИ разделяются
   

Компания Lightyear планирует выпустить на дороги One EV ...
 
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 8-08-2013, 10:26, просмотров: 526
Внимание! Данный материал, а именно «Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.

Помимо чрезвычайно высокого показателя плотности хранения информации, 1 ТБ на 200 мм2, и большой скорости чтения-записи, которая составляет порядка 140 МБ/сек, новы чипы памяти могут похвастаться низким значением потребляемой энергии и в надежностью, в 10 раз превышающую надежность хранения данных микросхем Flash-памяти.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Каждая ячейка RRAM-памяти состоит из трех простых компонентов, неметаллического верхнего токоподводящего электрода, средней переключаемой среды из аморфного кремния и нижнего металлического электрода. Механизм изменения сопротивления ячейки памяти основан на создании или разрушении токопроводящего канала-нити внутри аморфного кремния с помощью подаваемых импульсов электрического напряжения. Применение импульсов одной формы, потенциала и длительности приводит к формированию в объеме аморфного кремния токопроводящей нити из металлического кремния, импульсы с другими характеристиками служат для обратного преобразования, преобразования металлического кремния в аморфный.

Еще одной примечательной особенностью чипов RRAM-памяти компании Crossbar является их объемная многослойная структура. Весь массив ячеек памяти размещен в трех слоях, сложенных в виде "бутерброда". Но производство чипов с такой структурой не требует использования новых технологических процессов и оборудования. Массовое производство чипов RRAM-памяти может быть успешно налажено на одном из существующих предприятий, выпускающих полупроводниковые приборы, что было продемонстрировано тем фактом, что опытные образцы чипов новой памяти были изготовлены на обычном заводе одной из организаций-партнеров компании Crossbar.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

"Уникальность нашей технологии заключается в том, что массовое производство новых чипов памяти может быть начато уже через три года. Эта задержка обусловлена не необходимостью модернизации существующего оборудования, а тем, что технология требует еще некоторых доработок" - рассказывает Джордж Минэссиэн (George Minassian), руководитель компании Crossbar, - "Дорабатывая нашу технологию, мы не только будем стремиться сделать ее более технологичной, мы собираемся увеличить количество слоев ячеек памяти, что, в свою очередь, позволит увеличить объем хранимой информации без увеличения площади кристалла и позволит снизить количество потребляемой чипом энергии".

Следуем отметить, что в процессе разработки специалистами компании Crossbar RRAM-памяти было разработано достаточно большое количество новых технологий. В общей сложности компания подала около 100 заявок на патент, 30 из которых уже подтверждены и защищены соответствующими патентами.

Согласно имеющейся информации, внедрение нового типа RRAM-памяти начнется не с выпуска отдельных чипов, а со встраивания этой памяти в законченные решения, так называемые системы-на-чипе, к скорости работы которых и к их надежности предъявляются особо высокие требования. Только после этого можно ожидать, что на рынке появятся микросхемы RRAM-памяти, которые различные производители смогут использовать в конструкциях своих новых смартфонов, планшетных компьютерах и других устройствах.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ... Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ...
Японская исследовательская группа, возглавляемая профессором Кеном Тэкеучи (Ken Takeuchi) из университета Чуо (Chuo University), представила на...
Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ... Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ...
Будущим процессорам предстоит работа по обработке огромным массивов информации, количество которой растет буквально с каждым днем. Но...
Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы
Поскольку элементы полупроводниковых чипов становятся все меньше и меньше, мы неуклонно приближаемся к моменту, когда фундаментальные законы...
Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ... Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ...
Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания...
Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов
Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали...
Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увелич ... Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увелич ...
Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае (Fudan University), Китай, обнаружили способ существенного ускорения работы традиционных...
Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ... Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от...
Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа...
Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ... Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Решите пример: 9 - 6 (ответ числом)
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
E-mail:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
24.07.2017
Доска обьявлений (Предложение)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 17
 Гостей: 12
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: Yandex Bot, Yandex Bot, Yandex Bot, Yandex Bot, crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, беспилотник, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх