Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Только не любив, можно отпустить, Только видя смерть, научиться жить
© Tracktor Bowling - Время
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 22-07-2013, 22:13, просмотров: 828
Внимание! Данный материал, а именно «Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа перезаписываемой энергонезависимой памяти объемом в 1 килобайт, основой которого являются ячейки памяти, изготовленные из оксида кремния. Использование этого материала позволит создавать чипы, которые превзойдут современную флэш-память по показателю плотности хранения информации, по количеству потребляемой энергии, по скорости записи и по многим другим параметрам.

Основой технологии изготовления энергонезависимой памяти являются исследования, проведенные в стенах лаборатории Tour lab. Проводя эти исследования, ученые обнаружили, что если через слой окиси кремния пропустить электрический ток с определенными характеристиками, молекулы оксида расщепляются, кислород улетучивается и на поверхности остается чистый кремний в металлической форме, формирующий токопроводящий канал, шириной всего в 5 нанометров. Использование электрического тока с иными характеристиками приводит к обратному процессу, металлический кремний окисляется, токопроводящий канал "разрушается", увеличивая электрическое сопротивление в тысячи раз. Затем эти токопроводящие каналы можно читать как логическую единицу или ноль в зависимости от состояния этого канала.

Каждая ячейка энергонезависимой памяти на основе оксида кремния подключается в общую схему с помощью двух электродов, что позволяет изготовить более компактную схему, нежели схема обычной флэш-памяти, ячейки которой подключаются тремя электродами. Ячейки новой памяти весьма устойчивы к воздействию высокой температуры, ионизирующего излучения, а их гибкая структура обеспечивает всему устройству высокую стойкость к механическим воздействиям и предоставляет возможность формировать их этих ячеек пространственные трехмерные кристаллы. Способность ячеек новой энергонезависимой памяти выдерживать без потери информации длительное воздействие радиации проверяется в настоящее время на борту Международной космической станции.

Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти

Токопроводящие каналы, индуцируемые в оксиде кремния, состоят из металлического кремния, имеющего свойства полупроводника. Таким образом, ячейка представляет собой нечто вроде диода, который выполняет весьма полезную функцию, блокируя сигналы и токи утечек от других ячеек памяти в момент чтения информации из одной определенной ячейки. С электрической точки зрения каждая ячейка представляет собой электронный прибор класса один диод-один резистор (one diode-one resistor, 1D-1R). Соотношение сопротивления ячейки во включенном и в отключенном состоянии равно 1 к 10000, что позволяет надежно хранить информацию в течение минимум десяти лет, не тратя на это ни капли энергии.

Каждая ячейка из оксида кремния способна иметь несколько градаций значения электрического сопротивления, которые устанавливаются с помощью отличных по характеристикам импульсов электрического тока. В перспективе такая возможность позволит хранить в одной ячейке не один бит двоичной информации, а большее количество информации, закодированной в виде значения ее электрического сопротивления.

Следует отметить, что финансирование данных исследований осуществлялось компанией Boeing Corp и Научно-исследовательским управлением ВВС США (Air Force Office of Scientific Research).

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ... Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ...
Японская исследовательская группа, возглавляемая профессором Кеном Тэкеучи (Ken Takeuchi) из университета Чуо (Chuo University), представила на...
Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ... Новая архитектура 3D-чипов позволяет устранить узкое место интерфейса проце ...
Будущим процессорам предстоит работа по обработке огромным массивов информации, количество которой растет буквально с каждым днем. Но...
Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы
Поскольку элементы полупроводниковых чипов становятся все меньше и меньше, мы неуклонно приближаемся к моменту, когда фундаментальные законы...
Кремниевые суперконденсаторы смогут хранить энергию прямо внутри электронны ... Кремниевые суперконденсаторы смогут хранить энергию прямо внутри электронны ...
Группа исследователей из университета Вандербилта (Vanderbilt University), Нашвилл, Теннеси, разработала суперконденсаторы нового типа, большая...
Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ... Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ...
Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания...
Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов
Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали...
Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ... Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от...
Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ... Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ...
Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов...
Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ... Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Решите пример: 5 + 14 (ответ числом)
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
E-mail:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
24.07.2017
Доска обьявлений (Предложение)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 3
 Гостей: 2
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, беспилотник, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх