Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Даже если нам кажется, что в жизни ничего не меняется, это все равно постепенно происходит. Так же незаметно, как сменяются времена года, изменяются наши чувства.
© Это были мы (Bokura ga Ita)
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 28-05-2013, 11:53, просмотров: 965
Внимание! Данный материал, а именно «Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего поколения

Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго поколения NAND Flash-памяти, энергонезависимой памяти, обладающей характеристиками, превосходящими характеристики самых лучших современных образцов подобной памяти., и способной хранить два бита данных в одной ячейке Массовое производство новых микросхем NAND-памяти, изготовленных по 19-нм технологическому процессу и имеющих емкость 64 гигабита, будет начато в самое ближайшее время.

Следует заметить, что NAND Flash-память является одним из самых важных компонентов потребительской электроники на сегодняшний день. Такая память используется в составе карт памяти, Flash-накопителей, в смартфонах, планшетных компьютерах, в обычных компьютерах и во множестве других электронных устройств. А микросхемы NAND Flash-память, имеющие повышенную надежность, используются для создания твердотельных дисков (SSD), предназначенных для использования в серверах информационных центров и в суперкомпьютерах.

При разработке нового типа NAND Flash-памяти специалисты компании Toshiba использовали самые современные технологии и последние научные достижения в области микроэлектроники. В результате этого были разработаны 64-гигабитные чипы, площадью 96 квадратных миллиметров, что делает эти микросхемы микросхемами с самой высокой плотностью хранения информации на сегодняшний день. Помимо этого, в составе новой микросхемы памяти присутствует контроллер, реализующий инновационный метод скоростной записи информации, благодаря которому чипы NAND Flash-памяти следующего поколения могут обеспечить скорость записи до 25 МВ/сек.

В настоящее время в лабораториях компании Toshiba ведутся разработки NAND Flash-памяти еще одного следующего поколения, которая сможет хранить три бита данных в одной ячейке. Трехбитная Flash-память будет основана на той же самой технологии, что и двухбитная, а производство трехбитной NAND Flash-памяти будет начато во второй половине этого года.

Компания Toshiba планирует сначала выпустить микросхемы трехбитной памяти, предназначенные для использования в смартфонах и планшетных компьютерах, а затем будет разработан специализированный контроллер, совместимый со стандартом eMMC, что позволит использовать новую память в картах памяти и Flash-накопителях информации. После этого будет разработан еще один контроллер памяти, поддерживающий протоколы работы SSD, что позволит новым портативным компьютерам и серверам получить SSD-диски нового поколения, обладающие замечательными техническими характеристиками.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ... Японская иследовательская группа разработала более надёжную технологию хран ...
Японская исследовательская группа, возглавляемая профессором Кеном Тэкеучи (Ken Takeuchi) из университета Чуо (Chuo University), представила на...
Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ... Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкур ...
Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания...
Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов
Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали...
Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ... Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от...
Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ... Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ...
Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов...
Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа...
Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной  ... Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной ...
Для того, чтобы иметь возможность эффективно работать с большими объемами данных, которые будут требоваться для расчетов будущей самой подробной...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...
Оптическое переключение для устройств магнитной памяти Оптическое переключение для устройств магнитной памяти
Исследователи из лаборатории имени Эймса (Ames Laboratory) американского Министерства энергетики, университета штата Айова (Iowa State...
Система-на-чипе Atom CE4100 заставит обычные телевизоры показывать IPTV Система-на-чипе Atom CE4100 заставит обычные телевизоры показывать IPTV
Эрик Ким, генеральный директор Intel Digital Home Group, в рамках IDF представил 45-нм "систему-на-чипе" Atom CE4100, созданную с целью...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Решите пример: 15 - 3 (ответ числом)
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
E-mail:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
24.07.2017
Доска обьявлений (Предложение)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 7
 Гостей: 6
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, беспилотник, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх