Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкурировать с флэш-памятью Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкурировать с флэш-памятью
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Нет ничего парадоксальнее отчаянья, вызванного полным благополучием.
© Борис Кригер
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей раздела
 

Создана искусственная радужка, реагирующая на свет так ...
   

Умная материя создаст из каждой одежды фитнес-трекер
   

Напечатанное на 3D-принтере сердце бьется, как настояще ...
   

Ученые выяснили, что жидкая вода может существовать в д ...
   

Медики назвали напиток, который помогает в борьбе с кар ...
   

Компьютеры научились читать "язык" тела человека
   

Жизнь на Земле зародилась на суше
   

"Разноцветные" фотоны - революция в области квантовых ...
   

Ученые составили математическую модель, описывающую про ...
   

Новая жизнь «Глобуса-М»
 
 
Топ новостей
 

На авиасалоне в Жуковском представлен российский летающ ...
   

Hyperloop One испытали в реальных условиях
   

Создана искусственная радужка, реагирующая на свет так ...
   

Астрономы получили наиболее развернутый и наиболее каче ...
   

Умная материя создаст из каждой одежды фитнес-трекер
   

В полиции Великобритании появилось подразделение беспил ...
   

Напечатанное на 3D-принтере сердце бьется, как настояще ...
   

Ученые выяснили, что жидкая вода может существовать в д ...
   

Медики назвали напиток, который помогает в борьбе с кар ...
   

В Audi смоделировали, как человек будет проводить время ...
   

Графеновый "робот-паук", который не нуждается в источ ...
   

Смарт-перчатка преобразовывает язык жестов в текст
   

В Индии запустили поезд, почти полностью работающий на ...
   

Обновленный Bluetooth создаст из домашней электроники е ...
   

Компьютеры научились читать "язык" тела человека
   

Илону Маску разрешили пробурить тоннель от Вашингтона д ...
   

Жизнь на Земле зародилась на суше
   

Что такое Лента Мебиуса
   

Мнения о развитии ИИ разделяются
   

Компания Lightyear планирует выпустить на дороги One EV ...
 
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 20-09-2013, 09:27, просмотров: 409
Внимание! Данный материал, а именно «Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкурировать с флэш-памятью» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Новый материал станет основой памяти на фазовых переходах, способной конкурировать с флэш-памятью

Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания памяти на основе фазовых переходов (phase-change memory, PCM) следующего поколения. PCM-память имеет более высокие показатели плотности хранения информации и может обеспечить более высокую скорость работы, благодаря чему она сможет конкурировать с современной флэш-памятью и стать будущей базой для технологий длительного хранения информации.

Основой PCM-памяти являются материалы, способные под влиянием воздействия электрического импульса изменять свою структуру от беспорядочной аморфной структуры до кристаллической упорядоченной структуры, и наоборот. При этом, в аморфном состоянии материал обладает высоким электрическим сопротивлением и низким сопротивлением в его кристаллическом состоянии, что соответствует уровням логических 0 и 1 хранимых данных.

С ячейками флэш-памяти начинаются проблемы, когда их пытаются сделать размерами, меньше 20 нанометров, но ячейка памяти на основе фазовых переходов может быть сделана размером менее 10 нанометров, что позволит упаковать большее количество ячеек в ограниченный объем кристалла. "Это является самой главной особенностью этого типа памяти" - рассказывает Ксилин Жоу (Xilin Zhou), ученый из Шанхайского института микросистем и информационных технологий (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology) китайской Академии наук, - "Помимо этого данные записываются в ячейки PCM-памяти очень быстро, а технология ее производства весьма недорога".

В настоящее время основным материалом для ячеек PCM-памяти является сплав германия, сурьмы и теллура. Но такие трехкомпонентные сплавы достаточно сложно получать, выдерживая все технологические нормы, и подвергать механической обработке. "Гравировка, резка лазерным лучом таких тройных сплавов и их химическая обработка могут привести к локальным изменениям состава материала, к потере ими своих электрических и физических свойств" - поясняет Ксилин Жоу.

Поэтому китайские исследователи обратили свой интерес к сплавам, состоящим из двух компонентов, из алюминия и сурьмы. Достаточно долгое время исследователи подбирали процентное соотношение компонентов для того, чтобы получить свойства материала, превосходящие интересующие свойства сплава Ge-Sb-Te. Усилия ученых окупились сторицей, они обнаружили, что сплав Al50Sb50 может иметь три фиксированных значения электрического сопротивления, что позволяет хранить в одной ячейке памяти не две единицы, а три единицы значений данных, что может использоваться для реализации технологии многоуровневого хранения данных (multilevel data storage, MLS).

В настоящее время исследователи проводят серию экспериментов, в ходе которых будут определены показатели надежности при длительном хранении информации, "выносливость" ячеек при многократном стирании и записи информации, при воздействии на них различных неблагоприятных факторов. И только получив в свое распоряжение эти экспериментальные данные, можно будет начинать думать о начале практического внедрения PCM-памяти на основе нового двухкомпонентного сплава.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов Создан новый тип магнитной памяти, не требующий использования магнитов
Ученые из Еврейского университета (Hebrew University), Иерусалим, и Научного института Вайцмана (Weizmann Institute of Science) разработали...
Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ... Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от...
Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ... Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ...
Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов...
Sony совместно с Panasonic обещают наладить выпуск лазерных дисков объемом  ... Sony совместно с Panasonic обещают наладить выпуск лазерных дисков объемом ...
Если вспомнить историю развития оптических лазерных дисков, то в начале появились CD-диски, объемом по 700 Мб, после этого на арену вышли...
Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа...
Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной  ... Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной ...
Для того, чтобы иметь возможность эффективно работать с большими объемами данных, которые будут требоваться для расчетов будущей самой подробной...
Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ... Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго...
Сплавы платины и железа могут стать основой жестких дисков нового поколения Сплавы платины и железа могут стать основой жестких дисков нового поколения
Необходимость сохранения большего количества данных в меньшем объеме магнитного носителя диктует требование использования в качестве носителя...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...
Оптическое переключение для устройств магнитной памяти Оптическое переключение для устройств магнитной памяти
Исследователи из лаборатории имени Эймса (Ames Laboratory) американского Министерства энергетики, университета штата Айова (Iowa State...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Решите пример: 4 + 13 (ответ числом)
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
E-mail:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
24.07.2017
Доска обьявлений (Предложение)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 19
 Гостей: 17
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: Yandex Bot, crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, беспилотник, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх