Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Нет ничего более утомительного и более бесполезного, чем нерешительность.
© Бертран Рассел
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 23-08-2013, 06:26, просмотров: 421
Внимание! Данный материал, а именно «Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Китайским ученым с помощью эффекта квантового туннелирования удалось увеличить скорость работы полевых транзисторов

Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае (Fudan University), Китай, обнаружили способ существенного ускорения работы традиционных полевых транзисторов, которые сегодня являются основой практически всех компьютерных чипов, от процессоров до памяти. Работа, опубликованная в журнале Science, описывает структуру нового туннельного полевого транзистора (Tunneling Field-Effect Transistor, TFET), на переключение которого, по сравнению с обычными транзисторами, требуется значительно меньшее количество энергии, что, в свою очередь, позволяет работать этому транзистору на более высоких частотах.

В большинстве современных компьютерных чипов используются MOSFET-транзисторы (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), управляемые с помощью потенциала на плавающем затворе (Floating-Gate, FG). И, как хорошо известно, технологии изготовления таких транзисторов начинают приближаться к физическим ограничениям, которые не позволяют уменьшать их и без того маленькие размеры, увеличивая частоту их работы. По этой причине исследователи занимаются поисками других способов увеличения быстродействия транзисторов, и китайским ученым определенно удалось сделать это, используя эффект квантового туннелирования, который позволяет электронам "перепрыгнуть" через тонкий слой материала.

Туннельные TFET-транзисторы уже известны ученым и инженерам некоторое время и раньше даже были изготовлены опытные образцы таких транзисторов на основе графена, демонстрирующих невероятные скоростные характеристики. Но китайским ученым удалось реализовать нечто иное, в основе их TFET-транзистора лежит структура обычного полевого транзистора, в которой присутствует дополнительный управляющий электрод. Этот дополнительный затвор, связанный со структурой канала транзистора, за счет эффекта квантового туннелирования позволяет осуществить более быстрый перенос электрического заряда на традиционный плавающий затвор. Такая уникальная особенность позволяет управлять состоянием транзистора, тратя на это лишь малую часть энергии, которая требуется для наполнения емкости и наращивания потенциала плавающего затвора обычного транзистора.

Испытания опытных образцов новых TFET-транзисторов показали, что скорость их работы существенно увеличилась по сравнению с обычными полевыми транзисторами, время, требующееся на переключение состояния такого транзистора, находится в районе максимум одной наносекунды. Помимо этого, такие транзисторы могут обеспечить устойчивую работу в достаточно широком диапазоне рабочего напряжения, начиная от напряжения, менее 2 Вольт, и заканчивая пороговым напряжением в 3.1 Вольта. К сожалению, из-за неточностей изготовления первых опытных образцов таких транзисторов их характеристики значительно отличались, ученые собираются исправить это в самое ближайшее время, изготовив другой набор опытных образцов TFET-транзисторов на обычном промышленном оборудовании, позволяющем создать практически идентичные полупроводниковые структуры и приборы.

Так как базой нового TFET-транзистора является структура традиционного MOSFET-транзистора, то для производства чипов с новыми транзисторами не требуется ни использования новых материалов, ни даже перенастройки имеющегося производственного оборудования. После проведения дополнительных тестов и исследований эта технология может начать внедряться в электронной промышленности практически немедленно, что сможет послужить основой ускорения работы будущих компьютеров и появления портативных электронных устройств, требующих для своей работы совсем немного энергии.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ... Компания Samsung начинает производство 3D Vertical NAND Flash-памяти, вмеща ...
Знатокам в области Flash-накопителей и SSD-дисков хорошо известны такие термины, как SLC, MLC и TLC, которые являются сокращениями от...
Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ... Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 ра ...
Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов...
Разработка новых сверхскоростных электронных ключей позволит каждому в буду ... Разработка новых сверхскоростных электронных ключей позволит каждому в буду ...
Для того, чтобы сделать компьютеры более скоростными требуется увеличение скорости работы транзисторов, крошечных электронных выключателей, из...
Создан первый оптический транзистор, управляемый единственным фотоном света Создан первый оптический транзистор, управляемый единственным фотоном света
Исследователи из Массачусетского технологического института, Гарвардского и Венского технологического университетов разработали новый тип...
Созданы первые транзисторы, не содержащие полупроводниковых материалов Созданы первые транзисторы, не содержащие полупроводниковых материалов
Ученые из Мичиганского технологического университета, возглавляемые профессором физики Йок Хин Яп (Yoke Khin Yap), создали электронное...
Новый метод точечной сварки позволит соединить графен и углеродные нанотруб ... Новый метод точечной сварки позволит соединить графен и углеродные нанотруб ...
Графен и углеродные нанотрубки являются формами углерода, кристаллическая решетка которого имеет толщину в один атом. Мы уже достаточно много...
Графеновые транзисторы радикально новой структуры способны работать на тера ... Графеновые транзисторы радикально новой структуры способны работать на тера ...
Новый транзистор на основе графена, разработанный исследователями из университетов Манчестера и Ноттингема, за счет своей радикально новой...
Многослойные структуры из двумерных нанокристаллов могут стать лучшей замен ... Многослойные структуры из двумерных нанокристаллов могут стать лучшей замен ...
Исследователи из университета Пурду (Purdue University) разработали новый тип полупроводниковой технологии для будущих компьютеров и электронных...
ДНК-транзисторы - основа будущих биокомпьютеров ДНК-транзисторы - основа будущих биокомпьютеров
В современных кремниевых компьютерах вся обработка данных основывается на движении электронов, электрическом токе. Но ученые уже достаточно...
Тонкий рекорд Тонкий рекорд
Ученым из Уотсоновского исследовательского центра корпорации IBM впервые удалось изготовить и исследовать графеновый транзистор, способный...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Куда улетают птицы зимой ?
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
Логин:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017
site des lesbiennes (Услуги)

22.06.2017
femmes ukraine photos (Услуги)

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017
femme en ukraine (Спрос)

21.06.2017
chat en cam (Спрос)

21.06.2017

21.06.2017

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 10
 Гостей: 8
 Пользователи: jonsykton
 Роботы: crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, Роботы, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх