Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти
 
Portal demokratizator развлекательно познавательный ресурс
Вы знаете, что мы едим пищу, которую выращивают другие люди. Мы носим одежду, которую сшили другие люди. Мы говорим на языках, которые были придуманы другими людьми. Мы используем математику, но ее тоже развивали другие люди… Я думаю, мы все постоянно это говорим. Это прекрасный повод создать что-нибудь такое, что могло бы стать полезным человечеству.
© Стивен Пол Джобс(генеральный директор Apple)
 
  Главная Регистрация Статистика Контакты RSS 2.0
   
 
 
Навигация
 
Топ новостей
 

 

   
Новости науки
  Автор: white, 8-08-2013, 10:26, просмотров: 494
Внимание! Данный материал, а именно «Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти» , предоставлен исключительно для ознакомления! Администрация не несет ответственности за его содержимое. Если Вы являетесь правообладателем какого-либо материала, ссылка (либо ссылки) на который размещена на этом сайте, и не хотели бы чтобы данная информация распространялась пользователями без Вашего на то согласия, то мы будем рады оказать Вам содействие, удалив соответствующие ссылки, для этого необходимо.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Относительно молодая компания Crossbar, располагающаяся в Санта-Кларе, Калифорния, объявила о создании работоспособных образцов чипов энергонезависимой резистивной памяти (Resistive RAM, RRAM), имеющих уникальную запатентованную структуру. Но самым примечательным является не сам факт создания чипов этого достаточно нового типа памяти, а характеристики и скоростные показатели изготовленных чипов. Согласно информации от компании Crossbar, однокристальная схема, размером с почтовую марку, может сохранить терабайт данных и обеспечить доступ к этим данным в 20 раз быстрее, чем это могут обеспечить самые лучшие образцы современной NAND Flash-памяти.

Помимо чрезвычайно высокого показателя плотности хранения информации, 1 ТБ на 200 мм2, и большой скорости чтения-записи, которая составляет порядка 140 МБ/сек, новы чипы памяти могут похвастаться низким значением потребляемой энергии и в надежностью, в 10 раз превышающую надежность хранения данных микросхем Flash-памяти.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

Каждая ячейка RRAM-памяти состоит из трех простых компонентов, неметаллического верхнего токоподводящего электрода, средней переключаемой среды из аморфного кремния и нижнего металлического электрода. Механизм изменения сопротивления ячейки памяти основан на создании или разрушении токопроводящего канала-нити внутри аморфного кремния с помощью подаваемых импульсов электрического напряжения. Применение импульсов одной формы, потенциала и длительности приводит к формированию в объеме аморфного кремния токопроводящей нити из металлического кремния, импульсы с другими характеристиками служат для обратного преобразования, преобразования металлического кремния в аморфный.

Еще одной примечательной особенностью чипов RRAM-памяти компании Crossbar является их объемная многослойная структура. Весь массив ячеек памяти размещен в трех слоях, сложенных в виде "бутерброда". Но производство чипов с такой структурой не требует использования новых технологических процессов и оборудования. Массовое производство чипов RRAM-памяти может быть успешно налажено на одном из существующих предприятий, выпускающих полупроводниковые приборы, что было продемонстрировано тем фактом, что опытные образцы чипов новой памяти были изготовлены на обычном заводе одной из организаций-партнеров компании Crossbar.

Резистивная память компании Crossbar - терабайты объема и скорость, в 20 раз превосходящая скорость Flash-памяти

"Уникальность нашей технологии заключается в том, что массовое производство новых чипов памяти может быть начато уже через три года. Эта задержка обусловлена не необходимостью модернизации существующего оборудования, а тем, что технология требует еще некоторых доработок" - рассказывает Джордж Минэссиэн (George Minassian), руководитель компании Crossbar, - "Дорабатывая нашу технологию, мы не только будем стремиться сделать ее более технологичной, мы собираемся увеличить количество слоев ячеек памяти, что, в свою очередь, позволит увеличить объем хранимой информации без увеличения площади кристалла и позволит снизить количество потребляемой чипом энергии".

Следуем отметить, что в процессе разработки специалистами компании Crossbar RRAM-памяти было разработано достаточно большое количество новых технологий. В общей сложности компания подала около 100 заявок на патент, 30 из которых уже подтверждены и защищены соответствующими патентами.

Согласно имеющейся информации, внедрение нового типа RRAM-памяти начнется не с выпуска отдельных чипов, а со встраивания этой памяти в законченные решения, так называемые системы-на-чипе, к скорости работы которых и к их надежности предъявляются особо высокие требования. Только после этого можно ожидать, что на рынке появятся микросхемы RRAM-памяти, которые различные производители смогут использовать в конструкциях своих новых смартфонов, планшетных компьютерах и других устройствах.

Внимание!!! Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь, чтобы видеть скрытый текст, добавлять комментарии к новостям и т.д. и т.п., мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.

Швейцарские ученые создали чип, имитирующий работу мозга в реальном времени Швейцарские ученые создали чип, имитирующий работу мозга в реальном времени
Исследователи из университета Цюриха (University of Zurich) и Швейцарского федерального Технологического института в Цюрихе (Swiss Federal...
Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти Чипы со структурами из оксида кремния могут стать заменой флэш-памяти
Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая химиком Джеймсом Туром (James Tour), создала опытный образец чипа...
Оптические диски, хранящие информацию в пяти измерениях, обеспечат сохранно ... Оптические диски, хранящие информацию в пяти измерениях, обеспечат сохранно ...
Ученые из университета Саутгемптона (University of Southampton) и Технологического университета Эйндховена (Eindhoven University of Technology)...
Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной  ... Европейские нейробиологи получат в распоряжение суперкомпьютер с гибридной ...
Для того, чтобы иметь возможность эффективно работать с большими объемами данных, которые будут требоваться для расчетов будущей самой подробной...
Из геймера в роботы Из геймера в роботы
Геймер – существо практически сверхчеловеческое. Это же просто кладезь качеств, умений и навыков. Но и среди суперлюдей есть своя иерархия....
Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ... Компания Toshiba совершает прорыв в области NAND Flash-памяти следующего по ...
Специалисты компаний Toshiba Corporation и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) разработали технологию производства второго...
Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ... Компания Renesas разработала новую технологию сверхнадежной 40-нм флэш-памя ...
Компания Renesas Electronics Corporation разработала новую технологию и технологию производства флэш-памяти с двумя управляющими электродами...
STMicroelectronics флагман в области MEMS-технологий STMicroelectronics флагман в области MEMS-технологий
Координатором нового проекта, начатого европейским Консультационным советом по инициативам в направлении наноэлектроники (European...
Оптическое переключение для устройств магнитной памяти Оптическое переключение для устройств магнитной памяти
Исследователи из лаборатории имени Эймса (Ames Laboratory) американского Министерства энергетики, университета штата Айова (Iowa State...
GlobalFoundries прогресс в производствe трехмерных чипов GlobalFoundries прогресс в производствe трехмерных чипов
Представители компании GlobalFoundries, одного из самых известных производителей электронных полупроводниковых чипов мирового уровня, объявили,...

Назад
 
  Добавление комментария
Ваше имя:*
E-Mail:*
 
Код:
Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код:*
   
Вопрос: Форма земли ?
Ответ:*

 
 
 
Авторизация
Логин:
Пароль:
 
 
 
Последние объявления
23.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017
site des lesbiennes (Услуги)

22.06.2017
femmes ukraine photos (Услуги)

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

22.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017

21.06.2017
femme en ukraine (Спрос)

21.06.2017
chat en cam (Спрос)

 
Последние комментарии
Автор → тык
в новости → Сказ о портвейне
 
Кто онлайн
 Всего на сайте: 9
 Гостей: 8
 Пользователи: - отсутствуют
 Роботы: crawl Bot

 
Теги
Google, автомобиль, аппарат, более, большой, будет, впервые, готовится, компании, Компания, Космический, который, Марсоход, мир, мире, могут, может, НАСА, Новая, нового, Новый, обнаружили, Первые, первый, позволит, позволяет, помощью, рекорд, робот, Роботы, самый, свет, Система, создали, Создан, стать, Телескоп, Технология, Ученые, через

Показать все теги
 
Карта сайта
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
 

 

 

 

 
Прокрутить вверх